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SEMIKRON賽米控IPM模塊SKiiP2013GB172-4DL

SEMIKRON賽米控IPM模塊SKiiP2013GB172-4DL

型    號: SKiiP2013GB172-4DL
報(bào)    價: 19999
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賽米控IPM模塊SKiiP2013GB172-4DL
SKiiP智能功率模塊技術(shù)的主要特征是: * IGBT芯片采用分散式的分佈,從而使得熱密度Z小 * 無銅基板技術(shù) * 彈簧壓接技術(shù) * 模塊內(nèi)部的橋臂單元平行分布從而得到很低的雜散電感. 這些技術(shù)特點(diǎn)使得SKiiP智能功率模塊系統(tǒng)能獲得更小的熱阻,更強(qiáng)的熱循環(huán)能力和負(fù)載循環(huán)能力(是普通模塊的5倍)和更小的雜散電感。

詳細(xì)資料:

SKiiP2013GB172-4DL北京京誠宏泰科技原裝正品現(xiàn)貨銷售賽米控IPM模塊SKiiP2013GB172-4DL

IC=2000A ;VCES=1700V SKiiP® 3 2-pack-integrated inligent Power System

SKiiP®產(chǎn)品是一款具備優(yōu)秀功率循環(huán)能力的智能功率模塊,而且該智能功率模塊集成驅(qū)動電路,并具有過電流保護(hù),過溫保護(hù)以
及母線過電壓保護(hù)等完善的保護(hù)功能。在風(fēng)力發(fā)電市場中,SKiiP®以其優(yōu)秀的性能以及穩(wěn)定的可靠性被眾多風(fēng)力發(fā)電廠商作為*產(chǎn)品。與該功率組件同步推出的第四代SKiiP® 4系列具備更優(yōu)秀的封裝技術(shù)以及更高的功率密度

 

SKiiP智能功率模塊技術(shù)的主要特征是:
* IGBT芯片采用分散式的分佈,從而使得熱密度zui小
* 無銅基板技術(shù)
* 彈簧壓接技術(shù)

1200V-IGBT 3(Trench)-SKIIP 3
SKIIP1213GB123-2DL V3   1200V----1200A
SKIIP1813GB123-3DL V3   1200V----1800A
SKIIP2413GB123-4DL V3   1200V----2400A
SKIIP613GB123-3DUL V3   1200V----600A
  
1200V-IGBT 4(Trench)-SKIIP 4
SKIIP1814GB12E4-3DL     1200V----1800A
SKIIP1814GB12E4-3DW     1200V----1800A
SKIIP2414GB12E4-4DL     1200V----2400A
SKIIP2414GB12E4-4DW     1200V----2400A
SKIIP3614GB12E4-6DL     1200V----3600A
SKIIP3614GB12E4-6DW     1200V----3600A


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